Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Goyer D$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
1. |
Goyer D. B. Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation [Електронний ресурс] / D. B. Goyer, I. G. Megela, A. V. Gomonnai, Yu. M. Azhniuk // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2000. - Вип. 8(1). - С. 38-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2000_8(1)__8 Проаналізовано вплив опромінення високоенергетичними електронами на електричні й оптичні властивості кристалів InAs, InP, GaP. Визначено, що первинні радіаційні дефекти в напівпровідниках групи A3B5 рухливі, а в GaP частково відпалюються навіть за температур, нижчих ніж кімнатна. Розглянуто роль домішок в утворенні складних радіаційних дефектів у кристалах групи A3B5.
| 2. |
Azhniuk Yu. M. Resonant interactions and disorder effects in CdS1-xSex mixed crystals Raman spectra [Електронний ресурс] / Yu. M. Azhniuk, A. V. Gomonnai, D. B. Goyer, I. G. Megela, V. V. Lopushansky // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2000. - Вип. 8(2). - С. 208-211. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2000_8(2)__4 Досліджено ангармонічний резонанс Фермі між однофононними та двофононними станами, що проявляється в спектрах комбінаційного розсіювання, а також резонансне комбінаційне розсіювання світла у змішаних кристалах CdS1 - xSex. Проаналізовано вплив композиційного і радіаційного розупорядкування на спектральні особливості. Індуковане опроміненням зміщення смуги екситонної фотолюмінесценції та перерозподіл інтенсивностей резонансного комбінаційного розсіювання пов'язано зі змінами в електронній підсистемі кристала під дією опромінення.
|
|
|